MT53E256M32D2DS-053 WT:B vs MT53E128M32D2DS-053 비교
다음의 상세 나란히 비교: MT53E256M32D2DS-053 WT:B 제조: Micron Technology 및 MT53E128M32D2DS-053 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
Micron Technology
MT53E256M32D2DS-053 - 8Gb LPDDR4 DRAM 1.866GHz | Micron
MT53E256M32D2DS-053 WT:B ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | MT53E256M32D2DS-053 WT:B | MT53E128M32D2DS-053 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $21.90 | $3.55 |
| 메모리 유형 | LPDDR4 SDRAM (Mobile DRAM) | Mobile LPDDR4 / LPDDR4X SDRAM (unified) |
| Density | 8 Gbit (256M x 32) | 4 Gbit |
| 메모리 구성 | 256M x 32 | 128M x 32 |
| 데이터 속도 | 1866 Mbps/pin (1.866 GHz) | 1.866 GHz (1866 Mbps/pin) |
| Supply Voltage (VDD2/VDDQ) | 1.1 V | — |
| Operating Temperature (WT grade) | -30C to +85C | — |
| 패키지 | 200-ball WFBGA, 10 x 14.5 mm | 200-ball WFBGA (10 x 14.5 mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Self-Refresh | Auto self-refresh with built-in temperature sensor | — |
| 특징 | Auto precharge, write leveling, ZQ calibration | — |
| Bus Width | 32-bit | — |
| Peak Bandwidth (per device) | approximately 7.46 GB/s (32-bit x 1866 Mbps) | — |
| RoHS 상태 | Compliant (per JLCPCB/LCSC listing) | Compliant |
| MSL 레벨 | [DATA_NEEDED: MSL level] | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |
| Access Time / CAS Latency | [DATA_NEEDED: CL at 1866 Mbps] | — |
| Refresh Interval | [DATA_NEEDED: tREFI specification] | — |
| Package Height | [DATA_NEEDED: max package height] | — |
| Speed Grade | — | -053 |
| VDDQ (LPDDR4X mode) | — | 0.6 V |
| VDDQ (LPDDR4 mode) | — | 1.10 V |
| VDD | — | [DATA_NEEDED: VDD supply voltage] |
| Configuration | — | DDP (double-die package) |
| Automotive Variant | — | MT53E128M32D2DS-053 AUT:A / AAT:A / AIT:A available |
| 동작 온도 | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: refresh mode 8x/16x] |
| Access Type | — | Synchronous, bank-group burst |